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天天要聞:華工合作成果登《科學(xué)》,低劑量成像技術(shù)獲突破

2023-05-13 22:07:54 來(lái)源:華南理工大學(xué)新聞網(wǎng)

5月12日,以“Three-dimensional inhomogeneity of zeolite structure and composition revealed by electron ptychography”?為題,華南理工大學(xué)張輝教授和阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)韓宇教授的合作研究成果在Science上發(fā)表。其中,張輝教授和KAUST李冠星博士為共同第一作者,張輝教授和KAUST韓宇教授為共同通訊作者,華南理工大學(xué)是第一通訊單位。

該研究成果針對(duì)現(xiàn)有原子分辨率低劑量成像技術(shù)的不足,將低劑量成像技術(shù)中的樣品傾轉(zhuǎn)和電子計(jì)量控制方法運(yùn)用于疊層衍射,在幾十納米厚的多種沸石分子篩中實(shí)現(xiàn)了優(yōu)于1 ?的橫向分辨率和~6.6 nm的縱向分辨率。豐富的三維結(jié)構(gòu)信息使深入探究氧空位分布、孔道分子構(gòu)型和納米疇界面結(jié)構(gòu)等局域結(jié)構(gòu)及成分特征成為可能。由于沸石分子篩是石油化工行業(yè)中最重要的固體催化劑之一,低劑量成像技術(shù)的突破將有助于更深入地探究其構(gòu)效關(guān)系,加速催化劑的研發(fā)。

論文發(fā)表頁(yè)面


(相關(guān)資料圖)

沸石分子篩在吸附、分離、催化等眾多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,其性能深受局域結(jié)構(gòu)和成分不均勻性的影響。實(shí)空間高分辨率成像技術(shù)如透射電子顯微術(shù)(TEM)是揭示非均質(zhì)局部結(jié)構(gòu)的最直接的手段。但是由于對(duì)電子輻照的敏感性,沸石材料的TEM成像需要在較低的電子劑量下進(jìn)行以避免結(jié)構(gòu)損傷。

當(dāng)前可用的各種低劑量TEM成像技術(shù)有明顯的局限性。以新興的在沸石成像領(lǐng)域取得巨大成功的iDPC-STEM技術(shù)為例,其仍然具有以下局限性:第一,只有當(dāng)樣品厚度在數(shù)個(gè)晶胞以內(nèi)(< 10 nm),所得圖像才較好地反應(yīng)其真實(shí)結(jié)構(gòu),但如此薄的樣品在真實(shí)材料中極難獲得。隨著樣品厚度增加,不僅圖像分辨率會(huì)顯著下降,圖像也變得偏離結(jié)構(gòu)難以解釋。第二,與其他各種傳統(tǒng)TEM技術(shù)一樣,iDPC-STEM在樣品深度方向上不具備分辨能力。第三,iDPC-STEM要求會(huì)聚電子束精準(zhǔn)聚焦在樣品才能實(shí)現(xiàn)原子級(jí)別的分辨率。對(duì)于沸石這樣較為敏感的材料,精準(zhǔn)聚焦必須在極短的時(shí)間內(nèi)完成,否則聚焦過(guò)程就會(huì)損傷樣品結(jié)構(gòu)。因此,獲得高質(zhì)量圖像的成功率較低。

圖1. 具有不同厚度的ZSM-5樣品的iDPC-STEM成像與Ptychography成像

具體來(lái)說(shuō),作者首先通過(guò)圖像模擬對(duì)比了iDPC-STEM技術(shù)和Ptychography技術(shù)對(duì)樣品厚度的容忍度(圖1)。以ZSM-5的[010]帶軸為例,作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)樣品厚度超過(guò)10 nm時(shí),iDPC-STEM圖像分辨率大大降低,甚至出現(xiàn)大幅偏離結(jié)構(gòu)的假襯度,不能反映真實(shí)的樣品結(jié)構(gòu)。與之不同,Ptychography圖像則展現(xiàn)了較好的厚度容忍性,即使在40 nm厚的樣品中仍能得到極高的分辨率與較好的襯度。用Ptychography得到的實(shí)驗(yàn)圖像與模擬結(jié)果高度吻合,在~40 nm厚的ZSM-5分子篩中清晰區(qū)分開(kāi)了T原子柱和O原子柱,并獲得了~0.85 ?的橫向分辨。需特別指出的是,實(shí)驗(yàn)中作者只進(jìn)行粗聚焦,避免了精細(xì)聚焦過(guò)程中電子束對(duì)樣品的破壞,成像時(shí)樣品處于離焦?fàn)顟B(tài)。

圖2. 不同分子篩樣品以及孔道吸附有機(jī)分子的成像

作者在ZSM-5 [100]帶軸和EMM-17 [001]帶軸也得到了與結(jié)構(gòu)模型高度吻合的亞埃分辨率圖像(圖2)。此外,作者用該技術(shù)清楚地觀察到了吸附于ZSM-5直孔道中的有機(jī)分子(p-xylene),并發(fā)現(xiàn)吸附分子有不同的指向,體現(xiàn)了分子篩孔道中不同的化學(xué)環(huán)境以及主客體相互作用。

圖3. ZSM-5中氧空位的三維分布

由于T原子柱和O原子柱在Ptychography圖像中被清晰地區(qū)分開(kāi),作者對(duì)其強(qiáng)度進(jìn)行了定量分析,分析發(fā)現(xiàn)樣品中存在O空位。作者用圖像模擬定出了可用于O空位識(shí)別的強(qiáng)度閾值,并應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),得到了ZSM-5中O空位的三維分布(圖3)。該方法得到的O空位含量與吡啶吸附方法測(cè)得的路易斯酸位點(diǎn)的數(shù)量基本相符。這對(duì)進(jìn)一步研究沸石分子篩中酸性位點(diǎn)的分布具有重要意義。

圖4. MFI-MEL相界面原子結(jié)構(gòu)成像

ZSM-5(MFI)與ZSM-11(MEL)這兩種結(jié)構(gòu)相似的分子篩經(jīng)常共存,但學(xué)界對(duì)它們的共存狀態(tài)是混合還是共生仍不十分清楚,對(duì)其相界面結(jié)構(gòu)也知之甚少。作者借助Ptychography的超高分辨率成像能力,清晰解析了MFI-MEL相界面沿a軸、c軸方向的原子結(jié)構(gòu),并建立了b軸方向的界面原子模型(圖4)。

圖5. 縱向分辨率

最后,作者分析了低劑量條件下,多層法Ptychography重構(gòu)的縱向分辨率(depth resolution)。計(jì)算表明,雖然Ptychography的橫向分辨率低于1 ?,但是其縱向分辨率只有~6.6 nm(圖5)。

通過(guò)對(duì)比Ptychogrpahy、?Optical Sectioning、Tomography等TEM三維成像技術(shù),作者指出,低劑量Ptychography與Tomography相結(jié)合或?qū)⑦M(jìn)一步提升縱向分辨率,真正實(shí)現(xiàn)低劑量下的原子分辨率三維結(jié)構(gòu)表征。(圖文/前沿軟物質(zhì)學(xué)院 電子顯微中心 廣州國(guó)際校區(qū)人力資源與發(fā)展事務(wù)辦公室 編輯/盧慶雷 孫彥東)

鏈接:

1.文章信息

Hui Zhang, Guanxing Li, Jiaxing Zhang, Daliang Zhang, Zhen Chen, Xiaona Liu, Peng Guo, Yihan Zhu, Cailing Chen, Lingmei Liu, Xinwen Guo, and Yu Han. Three-dimensional inhomogeneity of zeolite structure and composition revealed by electron ptychography.

Science, 2023, 380 (6645), 633-638. DOI: 10.1126/science.adg3183.

2.張輝教授簡(jiǎn)介

張輝,現(xiàn)任職華南理工大學(xué)電子顯微中心/前沿軟物質(zhì)學(xué)院教授、博導(dǎo)。近年來(lái)他以第一/通訊作者在Science,Nature Materials,Chemistry of Materials,Acta Materialia,Journal of the European Ceramic Society 等期刊發(fā)文20余篇。研究方向包括:從高精度結(jié)構(gòu)表征出發(fā),研究新型能源/催化材料的構(gòu)效關(guān)系;針對(duì)不耐電子輻照材料,開(kāi)發(fā)具有廣泛應(yīng)用前景的三維成像技術(shù),實(shí)現(xiàn)碳、氧的精確可視化;研發(fā)在原子尺度調(diào)控結(jié)構(gòu)的新方法。

(原標(biāo)題:華南理工合作成果登上Science 沸石分子篩低劑量成像技術(shù)取得新進(jìn)展)

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